社會(huì)招聘

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TCAD主任工程師
地點(diǎn):自貿(mào)區(qū)廠區(qū)
職責(zé)描述:
1.從事LDMOS、CMOS、eflash、SGT、BJT、Schottky、JEFT、Zener、ESD等器件的TCAD仿真與分析
2.搭建新器件仿真平臺(tái),解決各類仿真問題
3.參與研發(fā)項(xiàng)目,解決BCD、HV、MCU等項(xiàng)目的器件及可靠性問題
4.能夠制定合理的仿真計(jì)劃,帶領(lǐng)進(jìn)行TCAD仿真和器件分析,提供完整報(bào)告
5.能夠獨(dú)立制定split table,分析WAT,提出器件優(yōu)化建議
任職要求:
1.學(xué)歷背景:微電子、物理、材料等相關(guān)專業(yè)碩士及以上學(xué)歷
2.工作經(jīng)歷: 5年以上工作經(jīng)驗(yàn)
3.知識(shí):熟練使用TCAD仿真軟件對(duì)各類半導(dǎo)體器件的仿真及分析,熟悉各類半導(dǎo)體器件(LDMOS、CMOS、eflash、SGT、BJT、Schottky、JEFT、Zener、ESD等)工作原理
4.專業(yè)技能:有半導(dǎo)體器件TCAD仿真工作經(jīng)歷,能夠獨(dú)立搭建新仿真平臺(tái),熟悉工藝流程及器件分析者優(yōu)先
5.職業(yè)素養(yǎng):良好的抗壓力和溝通協(xié)調(diào)能力
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研發(fā)工藝整合工程師(MCU)
地點(diǎn):自貿(mào)區(qū)廠區(qū)
崗位職責(zé):
1. MCU器件開發(fā)、結(jié)構(gòu)調(diào)整、工藝整合
2. 電性調(diào)試:制定DOE 實(shí)驗(yàn)、分析數(shù)據(jù)
3. 良率提升:線上工藝監(jiān)控、缺陷分析
4. 可靠性提升:優(yōu)化工藝提升工藝可靠性
崗位要求:
1. 半導(dǎo)體物理,微電子等專業(yè)碩士以上學(xué)歷
2. 具備扎實(shí)的半導(dǎo)體物理、器件理論和工藝原理知識(shí)
3. 半導(dǎo)體領(lǐng)域2年以上工作經(jīng)驗(yàn)
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研發(fā)工藝整合資深工程師(BCD)
地點(diǎn):自貿(mào)區(qū)廠區(qū)
崗位職責(zé):
1. 從事 90nm BCD 工藝開發(fā),建立工藝流程,和 FAB PE 一起建立工藝流程 recipe ,開發(fā)新的模組工藝
2. 制定實(shí)驗(yàn)批次 split, 設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)解決工藝缺陷,提升產(chǎn)品良率
3. 設(shè)計(jì)平臺(tái)器件結(jié)構(gòu),通過 TQV&MPW 進(jìn)行平臺(tái)驗(yàn)證,設(shè)計(jì)測(cè)試圖形,量測(cè)分析器件參數(shù),優(yōu)化器件性能
4. 協(xié)同可靠性部門完成相應(yīng)的工藝可靠性測(cè)試,產(chǎn)品可靠性測(cè)試;并對(duì)可靠性問題進(jìn)行分析,提出解決方
案,確保產(chǎn)品安全
5. NTO 導(dǎo)入及驗(yàn)證,負(fù)責(zé)產(chǎn)品上量并轉(zhuǎn)移至 FAB
6. 完成領(lǐng)導(dǎo)安排的其他任務(wù)
任職條件:
1. 微電子,物理,材料,化學(xué)等相關(guān)專業(yè)碩士以上學(xué)歷
2. 至少3 年及以上相關(guān)經(jīng)驗(yàn)
2. 熟悉半導(dǎo)體物理,了解半導(dǎo)體器件( CMOS,BJT,LDMOS 等 工作原理
3. 有 PIE/TD 工作經(jīng)歷,熟悉工藝流程者優(yōu)先
4. 具有良好的抗壓能力和溝通協(xié)調(diào)能力
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TD 器件研發(fā)分部經(jīng)理
地點(diǎn):上海自貿(mào)區(qū)廠區(qū)
崗位職責(zé):
1.作為邏輯研發(fā)項(xiàng)目的項(xiàng)目執(zhí)行人,參與公司技術(shù)路線圖制定和新項(xiàng)目調(diào)研;
2.參與制定、執(zhí)行流片方案,確定邏輯器件工藝和關(guān)鍵參數(shù)規(guī)格制定;
3.設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)解決工藝異常問題,整合不同單元工藝模塊,優(yōu)化工藝流程;
4.參與器件結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì),相關(guān)器件特性參數(shù)的模擬、測(cè)試、分析,優(yōu)化器件性能;
5.參與建立表征器件相關(guān)參數(shù)的測(cè)試程序,分析工藝波動(dòng)對(duì)器件特性的影響;
6.給予team技術(shù)指導(dǎo),提升設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)技術(shù)能力;
崗位要求:
1.電子工程師、物理、計(jì)算機(jī)科學(xué)或材料科學(xué)領(lǐng)域的碩士或博士學(xué)位, 半導(dǎo)體,電子,電機(jī)工程背景優(yōu)先;
2.8年以上工藝技術(shù)開發(fā)、TCAD、SRAM/Testchip設(shè)計(jì)、開發(fā)、工藝或產(chǎn)品工程相關(guān)經(jīng)驗(yàn);3年以上邏輯器件開發(fā)經(jīng)驗(yàn);1年以上項(xiàng)目管理經(jīng)驗(yàn),在此期間展現(xiàn)良好的管理能力及完成相關(guān)項(xiàng)目;
3. 65/55/40/28nm經(jīng)驗(yàn)及有SRAM bitcell設(shè)計(jì)維護(hù)優(yōu)先;
4.扎實(shí)的半導(dǎo)體工藝、器件和IC制造知識(shí);在半導(dǎo)體和邏輯器件結(jié)構(gòu)、工藝技術(shù)、電學(xué)特性和量測(cè)有扎實(shí)的知識(shí);
5.在半導(dǎo)體器件和工藝流程,testkey設(shè)計(jì)和布局,mask data審查和DRC審查,以及潛在問題識(shí)別和解決的技能擁有高級(jí)能力;在工程晶片DOE、手動(dòng)電性測(cè)量及參數(shù)分析,工藝和產(chǎn)品失效分析中擁有高級(jí)分析技能;
6.熟悉FMEA(失效模式及效果分析)、DOE、SPC和TDP(技術(shù)開發(fā)程序);熟悉芯片失效分析、良率提升等工作中所需采用的方式方法;
7.良好的中英文書面和口頭溝通能力;良好的技術(shù)和分析能力,包括對(duì)半導(dǎo)體制造工藝的基本了解;較強(qiáng)的計(jì)算機(jī)應(yīng)用能力(如微軟Word、Excel等);良好的團(tuán)隊(duì)合作精神。
聯(lián)系方式:
自貿(mào)區(qū)廠區(qū)
聯(lián)系方式:recruiting@gtasemi.com.cn
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TD 器件研發(fā)主任工程師
地點(diǎn):上海自貿(mào)區(qū)廠區(qū)
崗位職責(zé):
1、作為邏輯研發(fā)項(xiàng)目的項(xiàng)目執(zhí)行人,參與公司技術(shù)路線圖制定和新項(xiàng)目調(diào)研;
2、參與制定、執(zhí)行流片方案,確定邏輯器件工藝和關(guān)鍵參數(shù)規(guī)格制定;
3、設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)解決工藝異常問題,整合不同單元工藝模塊,優(yōu)化工藝流程;
4、參與器件結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì),相關(guān)器件特性參數(shù)的模擬、測(cè)試、分析,優(yōu)化器件性能; 5.參與建立表征器件相關(guān)參數(shù)的測(cè)試程序,分析工藝波動(dòng)對(duì)器件特性的影響;
6、給予team技術(shù)指導(dǎo),提升設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)技術(shù)能力;
任職要求:
1、電子工程師、物理、計(jì)算機(jī)科學(xué)或材料科學(xué)領(lǐng)域的碩士或博士學(xué)位, 半導(dǎo)體,電子,電機(jī)工程背景優(yōu)先;2、8年以上工藝技術(shù)開發(fā)、TCAD、SRAM/Testchip設(shè)計(jì)、開發(fā)、工藝或產(chǎn)品工程相關(guān)經(jīng)驗(yàn);3年以上邏輯器件開發(fā)經(jīng)驗(yàn);1年以上項(xiàng)目管理經(jīng)驗(yàn),在此期間展現(xiàn)良好的管理能力及完成相關(guān)項(xiàng)目;
3、65/55/40/28nm經(jīng)驗(yàn)及有SRAM bitcell設(shè)計(jì)維護(hù)優(yōu)先;
4、扎實(shí)的半導(dǎo)體工藝、器件和IC制造知識(shí);在半導(dǎo)體和邏輯器件結(jié)構(gòu)、工藝技術(shù)、電學(xué)特性和量測(cè)有扎實(shí)的知識(shí);
5、在半導(dǎo)體器件和工藝流程,testkey設(shè)計(jì)和布局,mask data審查和DRC審查,以及潛在問題識(shí)別和解決的技能擁有高級(jí)能力;在工程晶片DOE、手動(dòng)電性測(cè)量及參數(shù)分析,工藝和產(chǎn)品失效分析中擁有高級(jí)分析技能;
6、熟悉FMEA(失效模式及效果分析)、DOE、SPC和TDP(技術(shù)開發(fā)程序);熟悉芯片失效分析、良率提升等工作中所需采用的方式方法;
7、良好的中英文書面和口頭溝通能力;良好的技術(shù)和分析能力,包括對(duì)半導(dǎo)體制造工藝的基本了解;較強(qiáng)的計(jì)算機(jī)應(yīng)用能力(如微軟Word、Excel等);良好的團(tuán)隊(duì)合作精神。
聯(lián)系方式:
自貿(mào)區(qū)廠區(qū)
聯(lián)系方式:recruiting@gtasemi.com.cn